Diodes Incorporated DMN2004K-7
MOSFET N 沟道 20V 630MA SOT23-3
制造商型号 :DMN2004K-7
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :E0BDFD-DS
数据文档 :
DMN2004K-7 数据文档
DMN2004K-7 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 20V 630MA SOT23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 0.678800 | ￥ 6.79 |
| 3000+ | ￥ 0.377000 | ￥ 1131 |
| 6000+ | ￥ 0.367800 | ￥ 2206.8 |
| 12000+ | ￥ 0.357800 | ￥ 4293.6 |
| 15000+ | ￥ 0.355000 | ￥ 5325 |
库存: 25739
起订量 :1
包装 :TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-65℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 功率耗散（最大）:350毫瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):20 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:630 毫安（电流值）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:550毫欧@540毫安，4.5伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1V @ 250µA
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:150 pF @ 16 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:1.8V、4.5V
- 电压 (最大值):±8V
- 基本产品编号:DMN2004
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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