Onsemi FDFS6N754
MOSFET N 沟道 30V 4A 8SOIC
制造商型号 :FDFS6N754
制造商 :Onsemi
达森型号 :160852-DS
数据文档 :
FDFS6N754 数据文档
FDFS6N754 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 30V 4A 8SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 13.759800 | ￥ 13.76 |
| 25+ | ￥ 12.552800 | ￥ 313.82 |
| 100+ | ￥ 11.345800 | ￥ 1134.58 |
库存: 2835
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 功率耗散（最大）:1.6瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 场效应晶体管特性:肖特基二极管（隔离）
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:4A（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:56毫欧姆@4A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 6 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:15 V 时为 299 pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:PowerTrench®
- 基本产品编号:FDFS6
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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