Onsemi NTD78N03T4G
MOSFET N 沟道 25V 11.4A/78A DPAK
制造商型号 :NTD78N03T4G
制造商 :Onsemi
达森型号 :A9E146-DS
数据文档 :
NTD78N03T4G 数据文档
NTD78N03T4G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 25V 11.4A/78A DPAK TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.671300 | ￥ 1.67 |
| 25+ | ￥ 1.638700 | ￥ 40.97 |
| 100+ | ￥ 1.571200 | ￥ 157.12 |
| 500+ | ￥ 1.504500 | ￥ 752.25 |
| 1000+ | ￥ 1.421400 | ￥ 1421.4 |
库存: 13092
起订量 :1
包装 :TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.6713
合计 :￥ 1.67
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:磷酸二氢钾
- 功率耗散（最大）:1.4 瓦（温度特性），64 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):25 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:11.4A（Ta），78A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:6毫欧姆@78A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5 V 时 35 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:12V 时 2250pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 基本产品编号:新台币78元
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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