PN Junction Semiconductor 成立于 2018 年 9 月，是中国第三代功率半导体器件领先品牌。公司主营产品为汽车级碳化硅 MOSFET、碳化硅 SBD、氮化镓功率器件。公司拥有国内最全的碳化硅功率器件产品目录，碳化硅 MOSFET 和 SBD 覆盖各种电压等级和载流能力，均通过 AEC-Q101 测试认证，可满足客户各种应用场景。PN Junction Semiconductor 创始人黄兴博士自 2009 年起深入碳化硅和氮化镓功率器件设计研发，师从 IGBT 发明人 B. Jayant Baliga 教授、晶闸管发明人 Alex Huang 教授。目前，PN Junction半导体已在650V、1200V、1700V电压平台上发布了百余种不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块、GaN HEMT产品，量产产品已广泛应用于电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域，为Tier 1厂商提供持续稳定的供货。