Alpha &Omega Semiconductor AOB290L
MOSFET N 沟道 100V 18A/140A TO263
制造商型号 :AOB290L
达森型号 :A7EFFB-DS
数据文档 :
AOB290L 数据文档
AOB290L 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 100V 18A/140A TO263 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 17.380800 | ￥ 17.38 |
| 5+ | ￥ 15.336000 | ￥ 76.68 |
| 25+ | ￥ 13.738500 | ￥ 343.46 |
| 100+ | ￥ 12.843900 | ￥ 1284.39 |
库存: 4062
起订量 :1
包装 :TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 17.3808
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:不适用于新设计
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:TO-263-3，D²Pak（2 根引线 + 接片），TO-263AB
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-263 (D²Pak)
- 功率耗散（最大）:2.1W（热耗），500W（热耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):100 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:18A（Ta），140A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:3.2毫欧姆@20A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.1V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 126 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:9550 pF @ 50 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
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