Diodes Incorporated DGD05473FNQ-7
半桥 MOSFET 1.5A 4.7V~14V 2.5A DFN-10(3x3) 栅极驱动 IC
制造商型号 :DGD05473FNQ-7
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :C420B1-DS
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DGD05473FNQ-7 数据文档
DGD05473FNQ-7 数据文档客户# :
描述 : 半桥 MOSFET 1.5A 4.7V~14V 2.5A DFN-10(3x3) 栅极驱动 IC DFN-10(3x3)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 9.265500 | ￥ 9.27 |
| 10+ | ￥ 5.060900 | ￥ 50.61 |
| 100+ | ￥ 3.405900 | ￥ 340.59 |
| 500+ | ￥ 3.067200 | ￥ 1533.6 |
| 1000+ | ￥ 2.779700 | ￥ 2779.7 |
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起订量 :1
包装 :DFN-10(3x3)
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- 类型:集成电路（IC）/功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动器
- 产品状态:积极的
- 工作温度:150°C（高温）
- 封装/箱体:10-UFDFN 裸露焊盘
- 输入类型:CMOS/TTL
- 供应商器件封装:U-DFN3030-10
- 电压 - 电源:4.7V～14V
- 通道类型:独立的
- 驱动配置:半桥
- 司机人数:2
- 闸门类型:沟道 MOSFET
- 逻辑电压 - V I L、 V I H:0.8V、2.4V
- 电流 - 峰值输出（源、汇）:1.5A、2.5A
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:50 伏
- 上升/下降时间（典型值）:16纳秒，12纳秒
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