Diodes Incorporated DMTH10H017LPDQ-13
MOSFET 电压范围: 61V~100V POWERDI50
制造商型号 :DMTH10H017LPDQ-13
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :AC948C-DS
数据文档 :
DMTH10H017LPDQ-13 数据文档
DMTH10H017LPDQ-13 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 电压范围: 61V~100V POWERDI50 8-PowerTDFN
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 7.848300 | ￥ 7.85 |
| 1+ | ￥ 2.138500 | ￥ 2.14 |
| 1000+ | ￥ 7.612600 | ￥ 7612.6 |
| 1000+ | ￥ 2.052600 | ￥ 2052.6 |
库存: 26302
起订量 :1
包装 :8-PowerTDFN
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 7.8483
合计 :￥ 7.85
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:8-电源TDFN
- 功率 - 最大:1.5 瓦（温度特性），93 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):100伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:13A（Ta），59A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:17.4毫欧@17A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 28.6nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1986pF @ 50V
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