Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
制造商型号 :ZXMN3F31DN8TA
制造商 :Diodes Incorporated
达森型号 :539621-DS
数据文档 :
ZXMN3F31DN8TA 数据文档
ZXMN3F31DN8TA 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 3.364000 | ￥ 33.64 |
| 500+ | ￥ 2.803100 | ￥ 1401.55 |
| 1000+ | ￥ 2.385600 | ￥ 2385.6 |
| 2500+ | ￥ 2.124300 | ￥ 5310.75 |
| 5000+ | ￥ 2.012900 | ￥ 10064.5 |
库存: 15000
起订量 :1
包装 :8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 3.364
合计 :￥ 3.36
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:1.8瓦
- 供应商器件封装:8-硫酸盐
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:5.7A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:24 毫欧 @ 7A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 12.9nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:608pF @ 15V
- 基本产品编号:中兴通讯
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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