Flip Electronics NVMFD5483NLWFT1G
MOSFET 2N 通道 60V 6.4A 8DFN
制造商型号 :NVMFD5483NLWFT1G
制造商 :Flip Electronics
达森型号 :97A7E6-DS
数据文档 :
NVMFD5483NLWFT1G 数据文档
NVMFD5483NLWFT1G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N 通道 60V 6.4A 8DFN 8-PowerTDFN Tape & Reel (TR)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.150900 | ￥ 1.15 |
| 5+ | ￥ 1.058900 | ￥ 5.29 |
| 22+ | ￥ 0.920700 | ￥ 20.26 |
| 74+ | ￥ 0.690600 | ￥ 51.1 |
| 197+ | ￥ 0.621500 | ￥ 122.44 |
库存: 10755
起订量 :1
包装 :8-PowerTDFN Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 1.1509
合计 :￥ 1.15
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-电源TDFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:3.1瓦
- 供应商器件封装:8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-Dual)
- 配置:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):60伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:6.4A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:36 毫欧 @ 15A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 23.4nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:668pF @ 25V
- 系列:汽车、AEC-Q101
- 基本产品编号:NVMFD5483
- 包装:卷带式 (TR)
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