General Electric GE17042CCA3
1700V 半桥碳化硅功率模块
制造商型号 :GE17042CCA3
制造商 :General Electric
达森型号 :B72989-DS
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GE17042CCA3 数据文档
GE17042CCA3 数据文档客户# :
描述 : 1700V 半桥碳化硅功率模块 Bulk
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C（高温）
- 安装类型:底盘安装
- 技术:碳化硅（SiC）
- 功率 - 最大:1250 瓦
- 供应商器件封装:模块
- 配置:N 沟道（半桥）
- 场效应晶体管特性:碳化硅（SiC）
- 漏源电压 ( Vdss):1700伏（1.7千伏）
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:425A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:4.45毫欧姆@425A，20V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.5V@160mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:18V 时为 1207 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:29100pF @ 900V
- 系列:碳化硅功率器件
- 基本产品编号:GE17042
- 包装:大部分
- 包装/箱体:模块
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