GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N
碳化硅 MOSFET N 沟道 105A SOT227
制造商型号 :G3R20MT12N
达森型号 :D26542-DS
数据文档 :
G3R20MT12N 数据文档
G3R20MT12N 数据文档客户# :
描述 : 碳化硅 MOSFET N 沟道 105A SOT227 SOT-227-4, miniBLOC Tube
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 181.987200 | ￥ 1819.87 |
| 30+ | ￥ 181.412100 | ￥ 5442.36 |
| 100+ | ￥ 177.961500 | ￥ 17796.15 |
| 250+ | ￥ 176.427900 | ￥ 44106.98 |
库存: 1809
起订量 :1
包装 :SOT-227-4, miniBLOC Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 181.9872
合计 :￥ 181.99
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:8-邻苯二甲酸二异丙酯
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 供应商器件封装:SOT-227
- 功率耗散（最大）:365瓦（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):1200 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:105A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:24 毫欧 @ 60A，15V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.69V@15mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:15 V 时 219 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:5873 pF（800 V 时）
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:15伏
- 电压 (最大值):+20 伏、 -10 伏
- 系列:G3R™
- 基本产品编号:G3R20
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