GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J
碳化硅 MOSFET N 沟道 42A TO263-7
制造商型号 :G3R75MT12J
达森型号 :0B4793-DS
数据文档 :
G3R75MT12J 数据文档
G3R75MT12J 数据文档客户# :
描述 : 碳化硅 MOSFET N 沟道 42A TO263-7 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 45.752400 | ￥ 45.75 |
| 5+ | ￥ 40.065300 | ￥ 200.33 |
| 10+ | ￥ 38.915100 | ￥ 389.15 |
| 50+ | ￥ 37.062000 | ￥ 1853.1 |
库存: 4800
起订量 :1
包装 :TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 45.7524
合计 :￥ 45.75
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:TO-263-8，D²Pak（7 根引线 + 接片），TO-263CA
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 供应商器件封装:TO-263-7
- 功率耗散（最大）:224W（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):1200 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:42A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:90 毫欧 @ 20A，15V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:[email protected]
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:15 V 时 54 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1560 pF @ 800 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:15伏
- 电压 (最大值):±15V
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