Goford Semiconductor G86N06K
N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V,
制造商型号 :G86N06K
制造商 :Goford Semiconductor
达森型号 :1724A1-DS
数据文档 :
G86N06K 数据文档
G86N06K 数据文档客户# :
描述 : N60V,RD(MAX)<8.4M@10V,VTH2V~4V, - Tape & Reel (TR)
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 0.494100 | ￥ 4.94 |
| 2500+ | ￥ 0.274500 | ￥ 686.25 |
| 15000+ | ￥ 0.252900 | ￥ 3793.5 |
| 30000+ | ￥ 0.227700 | ￥ 6831 |
库存: 12000
起订量 :1
包装 :- Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 0.4941
合计 :￥ 0.49
帮助您节省成本和时间。
严格的质量检验和可靠的包装。
快速可靠的交付，节省时间。
提供365天保修售后服务
- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 功率耗散（最大）:88 瓦
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:68A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:4A、10V 时为 8.4 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 77 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2860 pF（25 V 时）
- 电压 (最大值):±20V
- 包装:卷带式 (TR)
为您推荐
购物指导
1.登录或以访客身份
2.加入购物车
3. 下订单
4.结账
5. 订单物流追踪
您可以在注册后下订单或以访客身份直接购买产品。
2.加入购物车
通过搜索找到您需要的产品。然后直接将产品添加到您的购物车。
3. 下订单
下单时请填写收货地址和快递信息。如需指定物流快递，请备注或联系我们。
4.结账
您可以直接在网站线上支付订单：微信支付、支付宝，也可以通过线下转账支付：银行转账（收款账户请查看线下支付）。
5. 订单物流追踪
我们将在24小时内发货您的订单并向您提供物流单号，您可以在网站上查看订单信息或联系我们的销售人员进行跟踪。
我们可以快速满足客户对电子元件的需求，即使是市场上稀缺的元件。
相关产品
