Infineon Technologies BSM100GB170DN2HOSA1
IGBT模块 1700V 145A 1000W
制造商型号 :BSM100GB170DN2HOSA1
达森型号 :EB4693-DS
数据文档 :
BSM100GB170DN2HOSA1 数据文档
BSM100GB170DN2HOSA1 数据文档客户# :
描述 : IGBT模块 1700V 145A 1000W Module
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包装 :Module
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- 类型:分立半导体器件/IGBT 模块
- 产品状态:过时的
- 工作温度:150°C（高温）
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:模块
- 功率 - 最大:1000 瓦
- 供应商器件封装:模块
- 配置:半桥
- 输入:标准
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:145 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:1700 伏
- 电流 - 集电极截止（最大值）:毫安
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:3.9V @ 15V，100A
- 输入电容 ( Cies) @ Vce:16 nF @ 25 V
- N T C热敏电阻:不
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