Infineon Technologies IKD15N60RFATMA1
IGBT 沟槽/FS 600V 30A TO252-3
制造商型号 :IKD15N60RFATMA1
达森型号 :0C9D48-DS
数据文档 :
IKD15N60RFATMA1 数据文档
IKD15N60RFATMA1 数据文档客户# :
描述 : IGBT 沟槽/FS 600V 30A TO252-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 5.850400 | ￥ 5.85 |
| 25+ | ￥ 5.733300 | ￥ 143.33 |
| 100+ | ￥ 5.499000 | ￥ 549.9 |
| 500+ | ￥ 5.265400 | ￥ 2632.7 |
| 1000+ | ￥ 4.972800 | ￥ 4972.8 |
库存: 9264
起订量 :1
包装 :TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 5.8504
合计 :￥ 5.85
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- 类型:分立半导体器件/绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～175℃（温度范围）
- 封装/箱体:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 输入类型:标准
- 功率 - 最大:250 瓦
- 供应商器件封装:PG-TO252-3
- 反向恢复时间 (trr):74纳秒
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:三十
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:600 伏
- I G B T类型:沟槽式场截止阀
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.5V@15V，15A
- 电流 - 集电极脉冲 ( Icm):四十五 一
- 转换能源:270µJ（开启），250µJ（关闭）
- 栅极电荷:90纳克
- Td（开/关）@25° C:13纳秒/160纳秒
- 测试条件:400V，15A，15欧姆，15V
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