Infineon Technologies IPD06P002NSAUMA1
MOSFET P 通道 60V 35A TO252-3
制造商型号 :IPD06P002NSAUMA1
达森型号 :672A59-DS
数据文档 :
IPD06P002NSAUMA1 数据文档
IPD06P002NSAUMA1 数据文档客户# :
描述 : MOSFET P 通道 60V 35A TO252-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 18.492700 | ￥ 184.93 |
| 2500+ | ￥ 10.273700 | ￥ 25684.25 |
| 5000+ | ￥ 9.887500 | ￥ 49437.5 |
| 12500+ | ￥ 9.560200 | ￥ 119502.5 |
库存: 1013
起订量 :1
包装 :TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 18.4927
合计 :￥ 18.49
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:PG-TO252-3-313
- 功率耗散（最大）:125瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:35A（热电偶）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:38毫欧姆@35A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4伏@1.7毫安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 63 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2500 pF @ 30 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
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