Infineon Technologies IPD50R650CEATMA1
MOSFET N 沟道 500V 6.1A TO252-3
制造商型号 :IPD50R650CEATMA1
达森型号 :F4A291-DS
数据文档 :
IPD50R650CEATMA1 数据文档
IPD50R650CEATMA1 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 500V 6.1A TO252-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 6.170600 | ￥ 61.71 |
| 2500+ | ￥ 4.113700 | ￥ 10284.25 |
| 5000+ | ￥ 3.897200 | ￥ 19486 |
| 12500+ | ￥ 3.608900 | ￥ 45111.25 |
| 25000+ | ￥ 3.550700 | ￥ 88767.5 |
库存: 85
起订量 :1
包装 :TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 6.1706
合计 :￥ 6.17
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:PG-TO252-3
- 功率耗散（最大）:69W（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):500 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:6.1A（温度系数）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:650 毫欧 @ 1.8A，13V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3.5V @ 150µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 15 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:100V 时为 342pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:13伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:CoolMOS™ CE
- 基本产品编号:IPD50R
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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