Infineon Technologies IRF530NPBF
MOSFET N 沟道 100V 17A TO220AB
制造商型号 :IRF530NPBF
达森型号 :D31D2C-DS
数据文档 :
IRF530NPBF 数据文档
IRF530NPBF 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 100V 17A TO220AB TO-220
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| 数量 | 单价 | 合计 |
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包装 :TO-220
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-220AB
- 功率耗散（最大）:70瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):100 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:17A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:90 毫欧 @ 9A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 37 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:25 V 时 920 pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:HEXFET®
- 基本产品编号:IRF530
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