Infineon Technologies IRF6644TRPBF
MOSFET N 沟道 100V 10.3A DIRECTFET
制造商型号 :IRF6644TRPBF
达森型号 :13335B-DS
数据文档 :
IRF6644TRPBF 数据文档
IRF6644TRPBF 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 100V 10.3A DIRECTFET DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 14.365400 | ￥ 14.37 |
| 10+ | ￥ 12.035900 | ￥ 120.36 |
| 100+ | ￥ 10.637900 | ￥ 1063.79 |
| 250+ | ￥ 10.187100 | ￥ 2546.78 |
| 500+ | ￥ 9.172500 | ￥ 4586.25 |
库存: 33160
起订量 :1
包装 :DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 14.3654
合计 :￥ 14.37
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:DirectFET™ 等距 MN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:DIRECTFET™ MN
- 功率耗散（最大）:2.8 瓦（温度特性），89 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):100 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:10.3A（Ta），60A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:13毫欧@10.3A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.8V @ 150µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 47 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2210 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:HEXFET®
- 基本产品编号:IRF6644
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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