Infineon Technologies IRL2910STRLPBF
MOSFET N 沟道 100V 55A D2PAK
制造商型号 :IRL2910STRLPBF
达森型号 :10C674-DS
数据文档 :
IRL2910STRLPBF 数据文档
IRL2910STRLPBF 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 100V 55A D2PAK TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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包装 :TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-263-3，D²Pak（2 根引线 + 接片），TO-263AB
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:磷酸二酯酶
- 功率耗散（最大）:3.8 瓦（温度特性），200 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):100 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:55A（热电偶）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:26 毫欧 @ 29A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:5 V 时为 140 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:3700 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4伏、10伏
- 电压 (最大值):±16V
- 系列:HEXFET®
- 基本产品编号:IRL2910
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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