ISSI® IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR
16Mb,串行RAM,1.65V-1.95V,10
制造商型号 :IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR
制造商 :ISSI®
达森型号 :58BF7E-DS
数据文档 :
IS66WVS2M8ALL-104NLI-TR 数据文档

客户# :
描述 : 16Mb,串行RAM,1.65V-1.95V,10 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
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数量 | 单价 | 合计 |
1+ | ¥ 13.710800 | ¥ 13.71 |
100+ | ¥ 13.710800 | ¥ 1371.08 |
1000+ | ¥ 13.710800 | ¥ 13710.8 |
10000+ | ¥ 13.061200 | ¥ 130612 |
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- 类型:集成电路(IC)/记忆
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃~85℃(环境温度)
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-SOIC(0.154 英寸,3.90 毫米宽)
- 技术:PSRAM(伪SRAM)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 内存大小:16兆位
- 内存类型:易挥发的
- 电压 - 电源:1.65V~1.95V
- 时钟频率:104兆赫
- 访问时间:7纳秒
- 内存格式:静态随机存取记忆体
- 内存接口:串行接口、快速接口
- 记忆组织:2 米 x 8
- 包装:卷带式 (TR)
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