IXYS Corporation IXFN34N100
MOSFET N 沟道 1000V 34A SOT-227B
制造商型号 :IXFN34N100
制造商 :IXYS Corporation
达森型号 :619437-DS
数据文档 :
IXFN34N100 数据文档
IXFN34N100 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 1000V 34A SOT-227B SOT-227-4, miniBLOC
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包装 :SOT-227-4, miniBLOC
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:SOT-227-4, 迷你BLOC
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:SOT-227B
- 功率耗散（最大）:700 瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):1000 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:34A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:280 毫欧 @ 500 毫安，10 伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:5.5V@8mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 380 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:25 V 时 9200 pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
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