IXYS Corporation IXTC26N50P
MOSFET N 沟道 500V 15A ISOPLUS220
制造商型号 :IXTC26N50P
制造商 :IXYS Corporation
达森型号 :BBBD58-DS
数据文档 :
IXTC26N50P 数据文档
IXTC26N50P 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 500V 15A ISOPLUS220 ISOPLUS220™ Tube
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包装 :ISOPLUS220™ Tube
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:ISOPLUS220™
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:ISOPLUS220™
- 功率耗散（最大）:130瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):500 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:15A（热电偶）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:260 毫欧 @ 13A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:5.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 65 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:3600 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±30V
- 系列:极地高压™
- 基本产品编号:IXTC26
- 包装:管子
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