IXYS Corporation IXTP182N055T
MOSFET N 沟道 55V 182A TO220AB
制造商型号 :IXTP182N055T
制造商 :IXYS Corporation
达森型号 :A4D830-DS
数据文档 :
IXTP182N055T 数据文档
IXTP182N055T 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 55V 182A TO220AB TO-220-3 Tube
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 48.691800 | ￥ 48.69 |
| 300+ | ￥ 12.204900 | ￥ 3661.47 |
| 600+ | ￥ 10.671300 | ￥ 6402.78 |
| 1200+ | ￥ 9.521100 | ￥ 11425.32 |
库存: 10854
起订量 :1
包装 :TO-220-3 Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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合计 :￥ 48.69
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-220-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-220-3
- 功率耗散（最大）:360瓦（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):55 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:182A（锝）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:5毫欧姆@25A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 114 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:4850 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:沟槽MV™
- 基本产品编号:IXTP182
- 包装:管子
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