IXYS Corporation IXTQ30N50P
MOSFET N 沟道 500V 30A TO3P
制造商型号 :IXTQ30N50P
制造商 :IXYS Corporation
达森型号 :D22C83-DS
数据文档 :
IXTQ30N50P 数据文档
IXTQ30N50P 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 500V 30A TO3P TO-3P-3, SC-65-3 Tube
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 162.044700 | ￥ 1620.45 |
| 300+ | ￥ 135.037000 | ￥ 40511.1 |
库存: 1453
起订量 :1
包装 :TO-3P-3, SC-65-3 Tube
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 162.0447
合计 :￥ 162.04
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-3P-3, SC-65-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-3P
- 功率耗散（最大）:460瓦（热电阻）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):500 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:30A（热电阻）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:200 毫欧 @ 15A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 70 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:4150 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±30V
- 系列:极性
- 基本产品编号:IXTQ30
- 包装:管子
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