Microchip Technology APTC90H12SCTG
MOSFET 4N 通道 900V 30A SP4
制造商型号 :APTC90H12SCTG
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :658C53-DS
数据文档 :
APTC90H12SCTG 数据文档
APTC90H12SCTG 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 4N 通道 900V 30A SP4 SP4 Bulk
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包装 :SP4 Bulk
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:52pF
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:250 瓦
- 供应商器件封装:SP4
- 配置:4 N 通道（半桥）
- 场效应晶体管特性:超级连接点
- 漏源电压 ( Vdss):900伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:30A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:120 毫欧 @ 26A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3.5V@3mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 270 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:6800pF@100V
- 系列:酷MOS™
- 基本产品编号:APTC90
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