Microchip Technology APTGFQ25H120T2G
IGBT 模块 1200V 40A 227W SP2
制造商型号 :APTGFQ25H120T2G
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :2C90E8-DS
数据文档 :
APTGFQ25H120T2G 数据文档
APTGFQ25H120T2G 数据文档客户# :
描述 : IGBT 模块 1200V 40A 227W SP2 SP2 Bulk
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| 数量 | 单价 | 合计 |
库存: 2356
起订量 :1
包装 :SP2 Bulk
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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- 类型:分立半导体器件/IGBT 模块
- 产品状态:积极的
- 安装类型:通孔
- 功率 - 最大:227 瓦
- 供应商器件封装:SP2
- 配置:全桥
- 输入:标准
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:40 一
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:1200 伏
- 电流 - 集电极截止（最大值）:250 微安
- I G B T类型:NPT 和 Fieldstop
- Vce(on)（最大值）@ Vge， Ic:2.1V @ 15V，25A
- 输入电容 ( Cies) @ Vce:2.02 nF @ 25 V
- N T C热敏电阻:是的
- 基本产品编号:APTGFQ25
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