Microchip Technology MSCSM120DHM31CTBL2NG
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制造商型号 :MSCSM120DHM31CTBL2NG
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :E40789-DS
数据文档 :
MSCSM120DHM31CTBL2NG 数据文档
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客户# :
描述 : PM 场效应晶体管-SIC-SBD-BL2 Module Bulk
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数量 | 单价 | 合计 |
1+ | ¥ 2630.408000 | ¥ 2630.41 |
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃~175℃(高温)
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:模块
- 技术:碳化硅(SiC)
- 功率 - 最大:310 瓦
- 配置:2 N 沟道(双)不对称
- 漏源电压 ( Vdss):1200伏(1.2千伏)
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:79A
- Rds On(最大值)@ Id、 Vgs:31毫欧姆@40A,20V
- Vgs(th)(最大值)@ Id:2.8V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:20V 时为 232 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:3020pF@1000V
- 基本产品编号:中远海运120
- 包装:大部分
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