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Microchip Technology VN0550N3-G
MOSFET N 沟道 500V 50MA TO92-3
制造商型号 :VN0550N3-G
制造商 :Microchip Technology
达森型号 :CB1329-DS
数据文档 :
VN0550N3-G 数据文档
VN0550N3-G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 500V 50MA TO92-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 7+ | ￥ 4.177100 | ￥ 29.24 |
| 25+ | ￥ 4.069800 | ￥ 101.75 |
| 100+ | ￥ 4.000100 | ￥ 400.01 |
库存: 38400
起订量 :1
包装 :TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bag
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 4.1771
合计 :￥ 4.18
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-92-3
- 功率耗散（最大）:1W（温度系数）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):500 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:50毫安（结温）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:60 欧姆 @ 50 毫安，10 伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4伏@1毫安
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:55pF@25V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 基本产品编号:VN0550
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