Micron Technology MT29F1G16ABBEAH4:E
IC 闪存 1GBIT 并行 63VFBGA
制造商型号 :MT29F1G16ABBEAH4:E
制造商 :Micron Technology
达森型号 :3E02AB-DS
数据文档 :
MT29F1G16ABBEAH4:E 数据文档
MT29F1G16ABBEAH4:E 数据文档客户# :
描述 : IC 闪存 1GBIT 并行 63VFBGA Bulk Bulk Bulk
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 15.678200 | ￥ 15.68 |
| 10+ | ￥ 14.894400 | ￥ 148.94 |
| 100+ | ￥ 14.110500 | ￥ 1411.05 |
| 1000+ | ￥ 12.542900 | ￥ 12542.9 |
| 10000+ | ￥ 11.759000 | ￥ 117590 |
库存: 31694
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包装 :Bulk Bulk Bulk
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- 类型:集成电路（IC）/记忆
- 产品状态:过时的
- 工作温度:0℃～70℃（环境温度）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:63-VFBGA
- 技术:闪存-NAND
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 内存大小:1Gbit
- 内存类型:非挥发性
- 电压 - 电源:1.7V~1.95V
- 内存格式:闪光
- 内存接口:平行线
- 基本产品编号:MT29F1G16
- 记忆组织:64M x 16
- 包装:大部分
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