NXP Semiconductors BUK9Y8R5-80EX
MOSFET N 沟道 80V 100A LFPAK56
制造商型号 :BUK9Y8R5-80EX
制造商 :NXP Semiconductors
达森型号 :C15620-DS
数据文档 :
BUK9Y8R5-80EX 数据文档
BUK9Y8R5-80EX 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 80V 100A LFPAK56 SC-100, SOT-669
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 0.613700 | ￥ 0.61 |
| 25+ | ￥ 0.601500 | ￥ 15.04 |
| 100+ | ￥ 0.576900 | ￥ 57.69 |
| 500+ | ￥ 0.552300 | ￥ 276.15 |
| 1000+ | ￥ 0.521600 | ￥ 521.6 |
库存: 30600
起订量 :1
包装 :SC-100, SOT-669
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 0.6137
合计 :￥ 0.61
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:SC-100、SOT-669
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:LFPAK56，电源-SO8
- 功率耗散（最大）:238W（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):80 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:100A（热电阻）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:8毫欧姆@25A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.1V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:54.7 纳克（5 伏时）
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:25 V 时 8167 pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:5伏
- 电压 (最大值):±10V
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