Onsemi FDMC8854
MOSFET N 沟道 30V 15A 8MLP
制造商型号 :FDMC8854
制造商 :Onsemi
达森型号 :705036-DS
数据文档 :
FDMC8854 数据文档
FDMC8854 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 30V 15A 8MLP 8-PowerWDFN
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 4.338100 | ￥ 4.34 |
| 25+ | ￥ 4.251500 | ￥ 106.29 |
| 100+ | ￥ 4.078200 | ￥ 407.82 |
| 500+ | ￥ 3.904300 | ￥ 1952.15 |
| 1000+ | ￥ 3.687700 | ￥ 3687.7 |
库存: 6465
起订量 :1
包装 :8-PowerWDFN
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 4.3381
合计 :￥ 4.34
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:8-PowerWDFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:8-MLP（3.3x3.3）
- 功率耗散（最大）:2W（温度特性），41W（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):30 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:15A（热电偶）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:5.7毫欧姆@15A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:3V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 57 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时为 3405pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
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