Onsemi NCD57256DR2G
隔离式双输出 MOSFET 驱动器
制造商型号 :NCD57256DR2G
制造商 :Onsemi
达森型号 :C9C1F2-DS
数据文档 :
NCD57256DR2G 数据文档
NCD57256DR2G 数据文档客户# :
描述 : 隔离式双输出 MOSFET 驱动器 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 21.087000 | ￥ 21.09 |
| 25+ | ￥ 20.639700 | ￥ 515.99 |
| 100+ | ￥ 19.809000 | ￥ 1980.9 |
| 500+ | ￥ 18.978300 | ￥ 9489.15 |
| 1000+ | ￥ 17.955900 | ￥ 17955.9 |
库存: 40905
起订量 :1
包装 :16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 21.087
合计 :￥ 21.09
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- 类型:隔离器/隔离栅极驱动器
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～125℃
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:16-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）
- 技术:电容耦合
- 审批机构:VDE
- 通道数:2
- 供应商器件封装:16-SOIC
- 电流 - 输出高、低:3.5安, 3.5安
- 电压 - 隔离:2500Vrms
- 电流 - 峰值输出:3.5A、6.5A
- 上升/下降时间（典型值）:12纳秒，10纳秒
- 共模瞬变抗扰度（最小值）:100千伏/微秒
- 传播延迟 tp L H / tp H L （最大值）:80纳秒，80纳秒
- 脉冲宽度失真（最大）:20纳秒
- 电压 - 输出电源:32伏
- 包装:卷带式 (TR)
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
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