Onsemi NTP011N15MC
MOSFET N 沟道 150V 9.8/74.3A TO220
制造商型号 :NTP011N15MC
制造商 :Onsemi
达森型号 :BC7E24-DS
数据文档 :
NTP011N15MC 数据文档
NTP011N15MC 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 150V 9.8/74.3A TO220 TO-220-3
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 6.929600 | ￥ 6.93 |
| 10+ | ￥ 6.919700 | ￥ 69.2 |
| 25+ | ￥ 6.850800 | ￥ 171.27 |
| 50+ | ￥ 6.567500 | ￥ 328.38 |
| 100+ | ￥ 6.421200 | ￥ 642.12 |
库存: 3687
起订量 :1
包装 :TO-220-3
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 6.9296
合计 :￥ 6.93
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 封装/箱体:TO-220-3
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-220
- 功率耗散（最大）:2.4 瓦（功耗），136.4 瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):150 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:9.8A（电流消耗），74.3A（温度）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:10.9毫欧姆@41A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.5V @ 223µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 37 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2810 pF（75 V 时）
- 电压 (最大值):±20V
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