Onsemi NTTD1P02R2G
MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
制造商型号 :NTTD1P02R2G
制造商 :Onsemi
达森型号 :E8C585-DS
数据文档 :
NTTD1P02R2G 数据文档
NTTD1P02R2G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR)
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包装 :8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Tape & Reel (TR)
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-TSSOP、8-MSOP（0.118 英寸，3.00 毫米宽）
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 功率 - 最大:500毫瓦
- 供应商器件封装:8-MSOP
- 配置:2 个 P 通道（双）
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:1.45A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:160毫欧@1.45A，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 10nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:265pF @ 16V
- 基本产品编号:NTTD1
- 包装:卷带式 (TR)
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