Onsemi NVMFD5C462NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL
制造商型号 :NVMFD5C462NLT1G
制造商 :Onsemi
达森型号 :D819A6-DS
数据文档 :
NVMFD5C462NLT1G 数据文档
NVMFD5C462NLT1G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 40V 84A S08FL 8-PowerTDFN
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 3.731800 | ￥ 3.73 |
| 10+ | ￥ 3.431400 | ￥ 34.31 |
| 100+ | ￥ 3.137500 | ￥ 313.75 |
| 500+ | ￥ 2.837200 | ￥ 1418.6 |
| 1000+ | ￥ 2.536800 | ￥ 2536.8 |
库存: 16209
起订量 :1
包装 :8-PowerTDFN
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 3.7318
合计 :￥ 3.73
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:8-电源TDFN
- 功率 - 最大:3W（热耗），50W（热阻）
- 供应商器件封装:8-DFN (5x6) 双标志 (SO8FL-Dual)
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):40伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:18A（Ta），84A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:10A、10V 时为 4.7 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.2V @ 40µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 11nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1300pF @ 25V
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