Onsemi NVMFS5C638NLT1G
MOSFET N 沟道 60V 26A/133A 5DFN
制造商型号 :NVMFS5C638NLT1G
制造商 :Onsemi
达森型号 :BE4CF9-DS
数据文档 :
NVMFS5C638NLT1G 数据文档
NVMFS5C638NLT1G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 60V 26A/133A 5DFN 8-PowerTDFN, 5 Leads
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 3.968200 | ￥ 3.97 |
| 10+ | ￥ 3.648700 | ￥ 36.49 |
| 100+ | ￥ 3.335600 | ￥ 333.56 |
| 500+ | ￥ 3.016100 | ￥ 1508.05 |
| 1000+ | ￥ 2.696600 | ￥ 2696.6 |
库存: 37534
起订量 :1
包装 :8-PowerTDFN, 5 Leads
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 3.9682
合计 :￥ 3.97
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 封装/箱体:8-PowerTDFN，5 根导线
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 功率耗散（最大）:4W（热损），100W（热损）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:26A（Ta），133A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:3毫欧@50A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 40.7 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2880 pF（25 V 时）
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
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