Onsemi NVMFS5C682NLWFAFT3G
MOSFET N 沟道 60V 8.8A/25A 5DFN
制造商型号 :NVMFS5C682NLWFAFT3G
制造商 :Onsemi
达森型号 :215559-DS
数据文档 :
NVMFS5C682NLWFAFT3G 数据文档
NVMFS5C682NLWFAFT3G 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 60V 8.8A/25A 5DFN 8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 9.201600 | ￥ 9.2 |
| 10+ | ￥ 7.540200 | ￥ 75.4 |
| 100+ | ￥ 5.910800 | ￥ 591.08 |
| 500+ | ￥ 5.009800 | ￥ 2504.9 |
| 1000+ | ￥ 4.083200 | ￥ 4083.2 |
库存: 47580
起订量 :1
包装 :8-PowerTDFN, 5 Leads Tape & Reel (TR)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 9.2016
合计 :￥ 9.20
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:不适用于新设计
- 工作温度:-55℃～175℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8-PowerTDFN，5 根导线
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:5-DFN（5x6）（8-SOFL）
- 功率耗散（最大）:3.5 瓦（温度特性），28 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:8.8A（Ta），25A（Tc）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:21毫欧@10A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2V @ 16µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 5 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:25 V 时 410 pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:汽车、AEC-Q101
- 基本产品编号:NVMFS5
- 包装:卷带式 (TR)
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