Onsemi NXH010P120MNF1PG
PIM F1 SIC 半桥 1200V 10MO
制造商型号 :NXH010P120MNF1PG
制造商 :Onsemi
达森型号 :53AC75-DS
数据文档 :
NXH010P120MNF1PG 数据文档
NXH010P120MNF1PG 数据文档客户# :
描述 : PIM F1 SIC 半桥 1200V 10MO Module Tray
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 2237.068000 | ￥ 2237.07 |
| 10+ | ￥ 2142.595400 | ￥ 21425.95 |
| 28+ | ￥ 2095.331400 | ￥ 58669.28 |
库存: 2394
起订量 :1
包装 :Module Tray
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 2237.068
合计 :￥ 2237.07
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:底盘安装
- 封装/箱体:模块
- 技术:碳化硅（SiC）
- 功率 - 最大:250瓦（结温）
- 配置:2 N 沟道（双）共源
- 漏源电压 ( Vdss):1200伏（1.2千伏）
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:114A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:14 毫欧 @ 100A，20V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.3V@40mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:20V 时为 454 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:4707pF @ 800V
- 基本产品编号:NXH010
- 包装:托盘
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