Onsemi SMUN5311DW1T2G
35@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - 预偏置 187mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 数字晶体管
制造商型号 :SMUN5311DW1T2G
制造商 :Onsemi
达森型号 :CB5088-DS
数据文档 :
SMUN5311DW1T2G 数据文档
SMUN5311DW1T2G 数据文档客户# :
描述 : 35@5mA,10V 1 NPN,1 PNP - 预偏置 187mW 100mA 50V 500nA SOT-323-6 数字晶体管 SOT-323-6
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 0.223700 | ￥ 0.22 |
| 25+ | ￥ 0.219400 | ￥ 5.49 |
| 100+ | ￥ 0.210200 | ￥ 21.02 |
| 500+ | ￥ 0.201600 | ￥ 100.8 |
| 1000+ | ￥ 0.190300 | ￥ 190.3 |
库存: 11589
起订量 :1
包装 :SOT-323-6
发货时间 :48小时内发货
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- 类型:分立半导体器件/预偏置双极晶体管阵列
- 产品状态:积极的
- 封装/箱体:6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 功率 - 最大:187毫瓦
- 供应商器件封装:SC-88/SC70-6/SOT-363
- 晶体管类型:1 NPN，1 PNP - 预偏置（双）
- 电流 - 集电极 ( Ic)（最大值）:100毫安
- 电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）:50伏
- Vce 饱和度（最大值）@ Ib, Ic:250mV @ 300µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）:500纳安
- 直流电流增益 (h F E) (最小值) @ Ic, Vce:35 @ 5毫安，10伏
- 电阻器-基极（ R1）:10千欧姆
- 电阻器 - 发射极基极（ R2）:10千欧姆
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