PANJIT Semiconductor PJQ5461A_R2_00001
60V P沟道增强模式M
制造商型号 :PJQ5461A_R2_00001
制造商 :PANJIT Semiconductor
达森型号 :904252-DS
数据文档 :
PJQ5461A_R2_00001 数据文档
PJQ5461A_R2_00001 数据文档客户# :
描述 : 60V P沟道增强模式M 8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 4.591600 | ￥ 45.92 |
| 3000+ | ￥ 2.551000 | ￥ 7653 |
| 6000+ | ￥ 2.421800 | ￥ 14530.8 |
| 9000+ | ￥ 2.248600 | ￥ 20237.4 |
| 30000+ | ￥ 2.196700 | ￥ 65901 |
库存: 1242
起订量 :1
包装 :8-PowerVDFN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 4.5916
合计 :￥ 4.59
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:不适用于新设计
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:8 电源 VDFN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:DFN5060-8
- 功率耗散（最大）:2W（温度特性），26W（温度特性）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:3.2A（电流消耗），11.5A（温度）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:110 毫欧 @ 6A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 纳克@10 伏
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:30 V 时 785 pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 基本产品编号:PJQ5461
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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