Renesas Electronics GWS9294
MOSFET 2 N 沟道 20V 10.1A 4QFN
制造商型号 :GWS9294
制造商 :Renesas Electronics
达森型号 :EB34C2-DS
数据文档 :
GWS9294 数据文档
GWS9294 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2 N 沟道 20V 10.1A 4QFN 4-VDFN
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包装 :4-VDFN
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:4-VDFN
- 功率 - 最大:3.6瓦
- 供应商器件封装:4-QFN（2x2）
- 场效应晶体管类型:N 沟道（双）共漏极
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):20伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:10.1A（Ta）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:6.5A、4.5V 时为 13 毫欧
- Vgs(th)（最大值）@ Id:1.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4V 时为 11nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:900pF@10V
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