Renesas Electronics NP110N055PUK-E1-AY
MOSFET N 沟道 55V 110A TO263
制造商型号 :NP110N055PUK-E1-AY
制造商 :Renesas Electronics
达森型号 :F8E6F4-DS
数据文档 :
NP110N055PUK-E1-AY 数据文档
NP110N055PUK-E1-AY 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 55V 110A TO263 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 63.900000 | ￥ 63.9 |
| 10+ | ￥ 55.380000 | ￥ 553.8 |
| 25+ | ￥ 53.676000 | ￥ 1341.9 |
| 100+ | ￥ 45.156000 | ￥ 4515.6 |
| 250+ | ￥ 43.736000 | ￥ 10934 |
库存: 2822
起订量 :1
包装 :TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 63.9
合计 :￥ 63.90
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C（高温）
- 封装/箱体:TO-263-3，D²Pak（2 根引线 + 接片），TO-263AB
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-263
- 功率耗散（最大）:1.8 瓦（温度特性），348 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):55 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:110A（热电阻）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1.75毫欧姆@55A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时为 294 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:16050 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
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