Renesas Electronics NP36P06KDG-E1-AY
MOSFET P 通道 60V 36A TO263
制造商型号 :NP36P06KDG-E1-AY
制造商 :Renesas Electronics
达森型号 :BB016E-DS
数据文档 :
NP36P06KDG-E1-AY 数据文档
NP36P06KDG-E1-AY 数据文档客户# :
描述 : MOSFET P 通道 60V 36A TO263 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 10+ | ￥ 10.104000 | ￥ 101.04 |
| 1600+ | ￥ 6.735800 | ￥ 10777.28 |
| 3200+ | ￥ 6.596600 | ￥ 21109.12 |
| 4800+ | ￥ 6.457500 | ￥ 30996 |
| 8000+ | ￥ 5.266100 | ￥ 42128.8 |
库存: 8469
起订量 :1
包装 :TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
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单价 : ￥ 10.104
合计 :￥ 10.10
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:175°C（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:TO-263-3，D²Pak（2 根引线 + 接片），TO-263AB
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:TO-263
- 功率耗散（最大）:1.8 瓦（温度特性），56 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:P 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:36A（铊）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:29.5毫欧@18安，10伏
- Vgs(th)（最大值）@ Id:2.5V@1mA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 54 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:10V 时 3100pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:4.5伏、10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 基本产品编号:NP36P06
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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