Rochester Electronics FDMD82100
MOSFET 2N-CH 100V 7A 12电源
制造商型号 :FDMD82100
达森型号 :64AD6C-DS
数据文档 :
FDMD82100 数据文档
FDMD82100 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2N-CH 100V 7A 12电源 12-PowerWDFN
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 13.227300 | ￥ 13.23 |
| 25+ | ￥ 12.971700 | ￥ 324.29 |
| 100+ | ￥ 12.460500 | ￥ 1246.05 |
| 500+ | ￥ 11.949300 | ￥ 5974.65 |
| 1000+ | ￥ 11.246400 | ￥ 11246.4 |
库存: 11442
起订量 :1
包装 :12-PowerWDFN
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 13.2273
合计 :￥ 13.23
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:12-PowerWDFN
- 功率 - 最大:1瓦
- 供应商器件封装:12-功率3.3x5
- 场效应晶体管类型:2 个 N 通道（双）
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):100伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:7A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:19毫欧@7A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4V @ 250µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 17nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:1070pF @ 50V
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