Rochester Electronics IPW60R230P6FKSA1
MOSFET N 沟道 600V 16.8A TO247-3
制造商型号 :IPW60R230P6FKSA1
达森型号 :BDA867-DS
数据文档 :
IPW60R230P6FKSA1 数据文档
IPW60R230P6FKSA1 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 600V 16.8A TO247-3 TO-247-3 Tube
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包装 :TO-247-3 Tube
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 安装类型:通孔
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:PG-TO247-3
- 功率耗散（最大）:126W（热电偶）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):600 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:16.8A（温度系数）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:230 毫欧 @ 6.4A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.5V @ 530µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 31 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:100V 时为 1450pF
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:CoolMOS™ P6
- 基本产品编号:IPW60R
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