International Rectifier(IR) IRF6648TRPBF
MOSFET N 沟道 60V 86A DIRECTFET MN
制造商型号 :IRF6648TRPBF
达森型号 :7EB62B-DS
数据文档 :
IRF6648TRPBF 数据文档
IRF6648TRPBF 数据文档客户# :
描述 : MOSFET N 沟道 60V 86A DIRECTFET MN DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.143000 | ￥ 1.14 |
| 10+ | ￥ 0.990000 | ￥ 9.9 |
| 50+ | ￥ 0.887400 | ￥ 44.37 |
| 100+ | ￥ 0.807300 | ￥ 80.73 |
| 200+ | ￥ 0.801000 | ￥ 160.2 |
库存: 16254
起订量 :1
包装 :DirectFET™ Isometric MN Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Dasenic-Reel®
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-40℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 封装/箱体:DirectFET™ 等距 MN
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:DIRECTFET™ MN
- 功率耗散（最大）:2.8 瓦（温度特性），89 瓦（温度特性）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:86A（锝）
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:7毫欧@17A，10V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:4.9V @ 150µA
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 50 纳克
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2120 pF @ 25 V
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）:10伏
- 电压 (最大值):±20V
- 系列:HEXFET®
- 基本产品编号:IRF6648
- 包装:Dasenic-Reel®
- 包装:切割胶带 (CT)
- 包装:卷带式 (TR)
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