Rochester Electronics MMFT3055ET1
小信号 N 沟道 MOSFET
制造商型号 :MMFT3055ET1
达森型号 :4B1E1A-DS
数据文档 :
MMFT3055ET1 数据文档
MMFT3055ET1 数据文档客户# :
描述 : 小信号 N 沟道 MOSFET - Bulk
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 1.671300 | ￥ 1.67 |
| 25+ | ￥ 1.638700 | ￥ 40.97 |
| 100+ | ￥ 1.571200 | ￥ 157.12 |
| 500+ | ￥ 1.504500 | ￥ 752.25 |
| 1000+ | ￥ 1.421400 | ￥ 1421.4 |
库存: 36010
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包装 :- Bulk
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单价 : ￥ 1.6713
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- 类型:分立半导体器件/单 MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:-65℃～150℃（高温）
- 安装类型:表面贴装
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 供应商器件封装:SOT-223
- 功率耗散（最大）:800毫瓦（功耗）
- 场效应晶体管类型:N 沟道
- 漏源电压 ( Vdss):60 伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:1.7A（温度系数）
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10 V 时 1 纳克
- 系列:*
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