Rochester Electronics PMDXB1200UPEZ
MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
制造商型号 :PMDXB1200UPEZ
达森型号 :AE4567-DS
数据文档 :
PMDXB1200UPEZ 数据文档
PMDXB1200UPEZ 数据文档客户# :
描述 : MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN 6-XFDFN Exposed Pad
价格 (￥) : *申请价格，请点击发送目标价按钮
| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 0.502000 | ￥ 0.5 |
| 25+ | ￥ 0.492000 | ￥ 12.3 |
| 100+ | ￥ 0.472200 | ￥ 47.22 |
| 500+ | ￥ 0.451600 | ￥ 225.8 |
| 1000+ | ￥ 0.426700 | ￥ 426.7 |
库存: 16505
起订量 :1
包装 :6-XFDFN Exposed Pad
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 0.502
合计 :￥ 0.50
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:积极的
- 工作温度:-55℃～150℃（高温）
- 封装/箱体:6-XFDFN 裸露焊盘
- 功率 - 最大:285毫瓦
- 供应商器件封装:DFN1010B-6
- 场效应晶体管类型:2 个 P 通道（双）
- 场效应晶体管特性:标准
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:410毫安
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:1.4欧姆@410mA，4.5V
- Vgs(th)（最大值）@ Id:950 毫伏 @ 250 微安
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:4.5V 时为 1.2nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:43.2pF @ 15V
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