Renesas Electronics UPA2792AGR-E1-AT
电源，10A，30V，N 沟道 MOSFET
制造商型号 :UPA2792AGR-E1-AT
制造商 :Renesas Electronics
达森型号 :85C7CF-DS
数据文档 :
UPA2792AGR-E1-AT 数据文档
UPA2792AGR-E1-AT 数据文档客户# :
描述 : 电源，10A，30V，N 沟道 MOSFET 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
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| 数量 | 单价 | 合计 |
| 1+ | ￥ 6.581700 | ￥ 6.58 |
| 25+ | ￥ 6.453900 | ￥ 161.35 |
| 100+ | ￥ 6.186800 | ￥ 618.68 |
| 500+ | ￥ 5.923500 | ￥ 2961.75 |
| 1000+ | ￥ 5.594400 | ￥ 5594.4 |
库存: 19635
起订量 :1
包装 :8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width)
发货时间 :48小时内发货
发货地 :深圳或香港仓库
数量 :
单价 : ￥ 6.5817
合计 :￥ 6.58
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- 类型:分立半导体器件/FET、MOSFET
- 产品状态:过时的
- 工作温度:150°C（高温）
- 封装/箱体:8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）
- 功率 - 最大:2瓦
- 供应商器件封装:8-标准操作程序
- 场效应晶体管类型:N 和 P 沟道
- 场效应晶体管特性:逻辑电平门
- 漏源电压 ( Vdss):30伏
- 电流 - 连续漏极 ( Id) @ 25° C:10A
- Rds On（最大值）@ Id、 Vgs:12.5毫欧@5A，10V
- 栅极电荷 ( Qg) (最大值) @ Vgs:10V 时为 42nC
- 输入电容 ( Ciss) (最大值) @ Vds:2200pF@10V
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